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SPUTTERING TARGET, SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD, BARIUM TITANATE THIN FILM MANUFACTURING METHOD, AND THIN FILM CAPACITOR MANUFACTURING METHOD

机译：溅射靶材，溅射靶材制造方法，钛酸钡薄膜制造方法以及薄膜电容器制造方法

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摘要

This sputtering target is provided with a conductive barium titanate sintered material with an occurrence density of less than 0.2 per cm² of crystal grain aggregates (12) having a grain diameter of 10μm or greater in a cleaved surface.

机译：该溅射靶具有导电性钛酸钡烧结材料，该导电性钛酸钡烧结材料的劈裂面的粒径为10μm以上的每cm 2 Sup 2的晶粒集合体（12）的发生密度小于0.2。

著录项

公开/公告号WO2013150831A1

专利类型
公开/公告日2013-10-10

原文格式PDF
申请/专利权人 SONY CORPORATION;
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申请/专利号WO2013JP54696
发明设计人 ADACHI KIWAMU;YANAGAWA SHUSAKU;
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申请日2013-02-25
分类号C23C14/34;H01G4/12;H01G4/33;H01L21/822;H01L27/04;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 16:30:18

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