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溅射靶、溅射靶的制造方法、钛酸钡薄膜的制造方法和薄膜电容器的制造方法

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摘要

本发明提供一种溅射靶，其包括导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体(12)的生成密度小于0.2个/cm2。

公开/公告号CN104204284A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人索尼公司;
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申请/专利号CN201380016294.0
发明设计人足立研;柳川周作;
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申请日2013-02-25
分类号C23C14/34(20060101);H01G4/12(20060101);H01G4/33(20060101);H01L21/822(20060101);H01L27/04(20060101);
代理机构11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司;
代理人陈桂香;曹正建
地址日本东京
入库时间 2023-12-17 04:06:25

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20141210 申请日:20130225

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-07

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20130225

实质审查的生效
2014-12-10

公开

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