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BAFFLE FOR IMPROVING AN ASHING RATE USING PLASMA AND A SUBSTRATE PROCESSING DEVICE USING THE SAME

机译:使用等离子提高灰化率的难题以及使用等离子提高基质处理设备的难题

摘要

PURPOSE: A baffle and a substrate processing device including the same are provided to prevent the thermal deformation of the baffle by distributing thermal stress in the baffle.;CONSTITUTION: A plasma generating unit(300) generates plasma. A housing(110) has a space inside. The housing is located on the lower side of the plasma generating unit. A susceptor(121) is located in the housing. Spray holes spray plasma from the plasma generating unit to the substrate.;COPYRIGHT KIPO 2013
机译:目的:提供挡板和包括该挡板的基板处理装置,以通过在挡板中分布热应力来防止挡板的热变形。组成:等离子体产生单元(300)产生等离子体。壳体(110)在内部具有空间。壳体位于等离子体产生单元的下侧。基座(121)位于壳体中。喷孔将等离子产生单元中的等离子喷涂到基板上。; COPYRIGHT KIPO 2013

著录项

  • 公开/公告号KR20130012361A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PSK INC.;

    申请/专利号KR20110073509

  • 发明设计人 KANG JUNG HYUN;YANG SEUNG KOOK;

    申请日2011-07-25

  • 分类号H01L21/3065;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:27:44

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