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International Workshop on Junction Technology
International Workshop on Junction Technology
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1.
FinFET multi-Vt tuning with metal gate work function modulation by plasma doping
机译:
通过等离子掺杂实现金属栅极功函数调制的FinFET多Vt调谐
作者:
Han Keping
;
Lee Jun
;
Tang Shan
;
Maynard Helen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
2.
Investigation of Ni/epi-SiGe layer stacks annealed by microwave heating
机译:
微波加热退火的Ni / eSi-SiGe层堆的研究
作者:
Fu Chaochao
;
Xu Peng
;
Zhou Xiangbiao
;
Hu Cheng
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
3.
Investigation of mixing Co in ultra-thin NiPt silicide films
机译:
超薄NiPt硅化物薄膜中混合Co的研究
作者:
Xu Peng
;
Zhou Xiangbiao
;
Fu Chaochao
;
Pan Jianfeng
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
4.
Monitoring of W accumulation in ion implanter beam line utilizing portable XRF instrument
机译:
使用便携式XRF仪器监测离子注入束线中的W积累
作者:
Kawasaki Y.
;
Fuse G.
;
Koike M.
;
Ooga E.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
5.
A laser annealing process for high-performance power MOSFETs
机译:
高性能功率MOSFET的激光退火工艺
作者:
Chen Y.
;
Noguchi T.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
6.
A novel SOI lateral power device with gradient buried oxide layer
机译:
具有梯度掩埋氧化物层的新型SOI横向功率器件
作者:
Zou Yang
;
Guo Yufeng
;
Li Man
;
Zhang Changchun
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
7.
Terahertz oscillation in GaN HEMT-like BEAN diode with a composite contact
机译:
具有复合触点的GaN HEMT类BEAN二极管中的太赫兹振荡
作者:
Wang Ying
;
Yang Lin-An
;
Hao Yue
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
8.
A comparative investigation on #x003C;0001#x003E; direction and #x003C;11–20#x003E; direction 4H-SiC impact avalanche transit time devices working at D-band frequencies
机译:
在D频段工作的<0001>方向和<11–20>方向4H-SiC冲击雪崩渡越时间器件的比较研究
作者:
Chen Qing
;
Yang Lin#039
;
an
;
Dai Yang
;
Hao Yue
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
9.
A novel method to eliminate the toppling issue for small CD/high AR/dense structures
机译:
消除小型CD /高AR /致密结构的倾覆问题的新方法
作者:
Liu Lequn Jennifer
;
Yu Jixin
;
Qin Shu
;
McTeer Allen
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
关键词:
CH4;
PLAD (Plasma doping);
Si pillar;
collision;
deposition;
toppling;
10.
A new method to prevent aluminum pad corrosion
机译:
防止铝垫腐蚀的新方法
作者:
Fu Guangcai
;
Ni Liang
;
Zhang Xianming
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
11.
Native and process induced defects in GaN films grown on Si substrates probed using a monoenergetic positron beam
机译:
用单能正电子束探测在Si衬底上生长的GaN膜中的自然和过程引起的缺陷
作者:
Uedono Akira
;
Fujishima Tatsuya
;
Cao Yu
;
Joglekar Sameer
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
12.
Laser Thermal Annealing: A low thermal budget solution for advanced structures and new materials
机译:
激光热退火:一种用于高级结构和新材料的低热预算解决方案
作者:
Huet K.
;
Toque-Tresonne I.
;
Mazzamuto F.
;
Emeraud T.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
13.
Cluster molecule implantation for ultra shallow junction — A review
机译:
簇状分子植入技术用于超浅结的研究进展
作者:
Sekar Karuppanan
;
Onoda Hiroshi
;
Nakashima Yoshiki
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
14.
Dopant deactivation and reactivation study of advanced doping technologies
机译:
先进掺杂技术的掺杂剂失活和再活化研究
作者:
Qin Shu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
15.
Investigation of implantation damage recovery using microwave system for defect-less p-n junction
机译:
无缺陷p-n结的微波系统修复植入损伤的研究
作者:
Yamaguchi Tadashi
;
Tomimatsu Takahiro
;
Yamashita Tomohiro
;
Maekawa Kazuyoshi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
16.
Low-temperature activation of boron in silicon by soft X-ray irradiation
机译:
通过软X射线低温活化硅中的硼
作者:
Heya Akira
;
Matsuo Naoto
;
Kanda Kazuhiro
;
Noguchi Takashi
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
17.
Laser spike annealing for n-type Ge junction Ti silicide formation
机译:
激光尖峰退火用于n型Ge结和Ti硅化物的形成
作者:
Wang Yun
;
Wang Xiaoru
;
Chen Shaoyin
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
18.
Formation and electrical properties of metal/Ge1#x2212;xSnx contacts
机译:
金属/ Ge1-xSnx触点的形成和电性能
作者:
Nakatsuka Osamu
;
Nishimura Tsuyoshi
;
Suzuki Akihiro
;
Kato Kimihiko
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
19.
High performance n#x002B;/p junction technology for high mobility Ge nMOSFET
机译:
用于高迁移率Ge nMOSFET的高性能n + sup> / p结技术
作者:
Chin Albert
;
Yi Shih-Han
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
20.
Reducing breakthrough dislocation toward Si/SiGe heterostructure to improve advanced HKMG SRAM device performance by optimizing fluorine co-implantation
机译:
通过优化氟共注入,减少对Si / SiGe异质结构的突破性位错,从而提高先进的HKMG SRAM器件性能
作者:
Chin Y.L.
;
Lin Y.S.
;
Hu Y.C.
;
Chang M.H.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
21.
Insights in accesses optimization for nFET low temperature Fully Depleted Silicon On Insulator devices
机译:
nFET低温全耗尽绝缘体上硅器件的访问优化见解
作者:
Pasini L.
;
Sklenard B.
;
Batude P.
;
Casse M.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
22.
Extended defects in ion-implanted si during nanosecond laser annealing
机译:
纳秒激光退火过程中离子注入硅中的扩展缺陷
作者:
Cristiano F.
;
Qiu Y.
;
Bedel-Pereira E.
;
Huet K.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
23.
Thermal stability enhancement of Ni-based silicides, germano-silicides and germanides using W and F implantation for 3D CMOS sequential integration
机译:
使用W和F注入进行3D CMOS顺序集成的Ni基硅化物,锗硅化物和锗化物的热稳定性增强
作者:
Carron Veronique
;
Nemouchi Fabrice
;
Milesi Frederic
;
Morand Yves
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
24.
Ion beam technologies for the 20nm technology node, 450mm wafer processes, and beyond
机译:
适用于20nm技术节点,450mm晶圆工艺及其他领域的离子束技术
作者:
Chen Jiong
;
Hong Junhua
;
Zhang Jin
;
Boeker Jeff
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
25.
Junction technology outlook for sub-28nm FDSOI CMOS
机译:
低于28nm FDSOI CMOS的结技术展望
作者:
Hutin Louis
;
Rozeau Olivier
;
Carron Veronique
;
Hartmann Jean-Michel
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
26.
Novel processing for access resistance reduction in Germanium devices
机译:
降低锗器件访问电阻的新型工艺
作者:
Duffy Ray
;
Shayesteh Maryam
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
27.
Rotational implant menitoring recipe characterization
机译:
旋转植入物监测配方表征
作者:
Meng Loi Chee
;
Chiong Tiong Ung
;
Chao Jing Bo
;
Young Park Ju
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
28.
Pulsed laser thermal annealing on stress eliminating of poly-SiGe film used in MEMS
机译:
消除MEMS中使用的多晶硅薄膜的应力的脉冲激光热退火
作者:
Zhang Xianming
;
Wang Chungchien
;
Ding Jingxiu
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
29.
Imaging and nano-probing of doping in Si by site-specific scanning spreading resistance microscopy (SSRM)
机译:
通过定点扫描扩展电阻显微镜(SSRM)对Si中的掺杂进行成像和纳米探测
作者:
Zhang L.
;
Suguro K.
;
Ohuchi K.
;
Hara K.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
关键词:
Boron;
SSRM;
Vth fluctuation;
discrete;
dopant;
fluctuation;
nFET;
segregation;
site-specific;
30.
Precision of single-engage micro Hall effect measurements
机译:
单点微霍尔效应测量的精度
作者:
Henrichsen Henrik H.
;
Hansen Ole
;
Kjaer Daniel
;
Nielsen Peter F.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
31.
Ambient-controlled scanning spreading resistance microscopy (AC-SSRM) profiling study of advanced doping technologies
机译:
先进掺杂技术的环境控制扫描扩展电阻显微镜(AC-SSRM)轮廓分析
作者:
Qin Shu
;
Suo Zhiyong
;
Fillmore David
;
Lu Shifeng
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
32.
Modeling and simulation for NBTI-considered path delay prediction in logical circuit
机译:
逻辑电路中考虑NBTI的路径延迟预测的建模和仿真
作者:
Lin Yao
;
Li Xiaojin
;
Shi Yanling
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
33.
Investigation of Si Implantation into ILD (Interlayer Dielectric) for film property modification
机译:
硅注入到ILD(层间介质)中以改善膜性能的研究
作者:
He Yonggen
;
Cai Guohui
;
Zhou Zuyuan
;
He Youfeng
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
34.
Significant roles of ultra-high energy ion implanter for high performance image sensing devices
机译:
超高能离子注入机在高性能图像传感设备中的重要作用
作者:
Fuse G.
;
Watanabe K.
;
Sasaki H.
;
Sugitani M.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
35.
Impact of carbon on diffusion and activation of arsenic in silicon
机译:
碳对砷在硅中扩散和活化的影响
作者:
Itokawa Hiroshi
;
Mizushima Ichiro
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
36.
28nm Device improvement studies by replacing Indium with Gallium halo
机译:
通过用镓卤化物代替铟来进行28nm器件改进研究
作者:
Chin Y.L.
;
Wei C.H.
;
Yang C.Y.
;
Yeh S.W.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
37.
Threshold adaptive transistor realized with RRAMs for neuromorphic circuits
机译:
用RRAM实现的阈值自适应晶体管用于神经形态电路
作者:
Jia Hongyang
;
Deng Ning
;
Pang Hua
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
38.
Effect of Ti interlayer on the formation of epitaxial NiSiGe on strained Si0.8Ge0.2
机译:
Ti中间层对应变Si0.8Ge0.2上外延NiSiGe形成的影响
作者:
Hou C.
;
Ping Y.
;
Zhang B.
;
Yu W.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
39.
Investigation of Ni(Pt)/Si-cap/SiGe solid phase reaction
机译:
Ni(Pt)/ Si-cap / SiGe固相反应的研究
作者:
Zhang Jian-Chi
;
Jiang Yu-Long
;
Li Bing-Zong
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
40.
Grain size modulation on impurity doped polysilicon by implant and rapid thermal process tuning and its influence on sheet resistance
机译:
通过注入和快速热工艺调整杂质掺杂多晶硅的晶粒尺寸调制及其对薄层电阻的影响
作者:
Yang C.Y.
;
Wei C.H.
;
Li S.H.
;
Chin Y.L.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
41.
Low contact resistances using carrier activation enhancement for Germanium CMOSFETs
机译:
使用载流子激活增强的低接触电阻,用于锗CMOSFET
作者:
Miyoshi Hidenori
;
Ueno Tetsuji
;
Hirota Yoshihiro
;
Yamanaka Junji
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
42.
Atmospheric pressure plasma processing and layer transfer technique for thin-film device fabrication on glass and plastic substrates
机译:
在玻璃和塑料基板上制造薄膜器件的常压等离子体处理和层转移技术
作者:
Higashi Seiichiro
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
43.
Ultrathin Ni silicide contacts on Si and SiGe formed with multi thin Ni/Al layers
机译:
硅和SiGe上的超薄镍硅化物触点形成了多层Ni / Al薄层
作者:
Liu Linjie
;
Knoll Lars
;
Wirths Stephan
;
Buca Dan
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
44.
Ion implantation technology in SiC for power device applications
机译:
功率器件SiC中的离子注入技术
作者:
Kimoto Tsunenobu
;
Kawahara Koutaro
;
Niwa Hiroki
;
Kaji Naoki
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
45.
Differential thermal energy control for pattern effect suppression in rapid thermal annealing
机译:
差动热能控制,可抑制快速热退火中的图案效应
作者:
Timans Paul
;
Hamm Silke
;
Cosceev Alexandr
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
46.
Low temperature junction formation by solid phase epitaxy on thin film devices: Atomistic modeling and experimental achievements
机译:
固相外延在薄膜器件上形成低温结:原子建模和实验成果
作者:
Sklenard B.
;
Batude P.
;
Pasini L.
;
Fenouillet-Beranger C.
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
47.
Heated ion implantation technology for FinFET application
机译:
FinFET应用中的加热离子注入技术
作者:
Onoda Hiroshi
;
Mizubayashi Wataru
;
Nakashima Yoshiki
;
Masahara Meishoku
会议名称:
《International Workshop on Junction Technology》
|
2014年
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