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机译:用嵌入式压力源形成高性能FET的方法和结构
公开/公告号GB2486839B
专利类型
公开/公告日2013-09-04
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
申请/专利号GB20120004634
发明设计人 GHAVAM G SHAHIDI;BRUCE DORIS;KANGGUO CHENG;ALI KHAKIFIROOZ;
申请日2010-09-08
分类号H01L29/78;H01L21/336;
国家 GB
入库时间 2022-08-21 16:20:26
机译: 用嵌入式压力源形成高性能FET的方法和结构
机译: 用嵌入式应力形成高性能脚的方法和结构