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机译:具有嵌入式源极/漏极应力源和应变传输结构(STS)的应变$ {rm n} $-MOSFET,可增强晶体管性能
${rm n}$ -MOSFET; Lateral tensile strain; n-MOSFET; silicon-carbon (Si:C); strain-transfer structure (STS);
机译:带有硅源区和漏区以及嵌入式硅/锗作为应变传递结构的应变n沟道晶体管
机译:具有SiGe通道和嵌入式SiGe源/漏应力源的应变pMOSFET的特性和热载流子效应
机译:带有嵌入式硅源极和漏极应力源的应变硅-绝缘体上锗锗n-MOSFET
机译:具有双嵌入式Si:C源/沥水和晶格 - 不匹配的SiGe应变 - 转移结构(STS)的紧张N-FET中的性能增强
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:具有高GE分数的高性能PMOSFET应变SiGE-异质结构 - 通过选择性B掺杂SiGE CVD形成的超肺源/漏极
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。