机译:半导体缺陷分类方法,半导体缺陷分类装置以及半导体缺陷分类程序
公开/公告号US8595666B2
专利类型
公开/公告日2013-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 KOICHI HAYAKAWA;TAKEHIRO HIRAI;YUTAKA TANDAI;TAMAO ISHIKAWA;TSUNEHIRO SAKAI;KAZUHISA HASUMI;KAZUNORI NEMOTO;KATSUHIKO ICHINOSE;YUJI TAKAGI;
申请/专利号US201013382437
发明设计人 TSUNEHIRO SAKAI;YUJI TAKAGI;KATSUHIKO ICHINOSE;KAZUHISA HASUMI;YUTAKA TANDAI;KOICHI HAYAKAWA;TAKEHIRO HIRAI;KAZUNORI NEMOTO;TAMAO ISHIKAWA;
申请日2010-05-14
分类号G06F17/50;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:59:37