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High Selectivity, Low Damage Electron-Beam Delineation Etch

机译:高选择性,低损伤的电子束轮廓刻蚀

摘要

A method and apparatus for selective etching a substrate using a focused beam. For example, multiple gases may be used that are involved in competing beam-induced and spontaneous reactions, with the result depending on the materials on the substrate. The gases may include, for example, an etchant gas and an auxiliary gas that inhibits etching.
机译:一种使用聚焦束选择性刻蚀衬底的方法和设备。例如,可以使用参与竞争的束诱导的和自发反应的多种气体,其结果取决于基底上的材料。气体可以包括例如蚀刻剂气体和抑制蚀刻的辅助气体。

著录项

  • 公开/公告号EP2214200B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FEI CO;

    申请/专利号EP20100152144

  • 发明设计人 CHANDLER CLIVE;RANDOLPH STEVEN;

    申请日2010-01-29

  • 分类号H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:50:46

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