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SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, LUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY PANEL, ELECTRONIC ELEMENT, SOLAR BATTERY ELEMENT, AND ELECTRONIC DEVICE

机译:半导体基板,制造半导体层的方法,制造半导体基板的方法,半导体元件,发光元件,显示面板,电子元件,太阳能电池元件和电子设备

摘要

semiconductor substrate 1 is heat-resistant ( ) and has at the same time for the external flexible () having a graphite substrate (2), is provided on the graphite substrate , and a semiconductor layer 4 made of silicon . ;
机译:半导体衬底1是耐热的,同时具有外部柔性(具有石墨衬底(2)),该柔性衬底设置在石墨衬底上,并且由硅制成的半导体层4。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR101441991B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20127004218

  • 发明设计人 후지오카 히로시;

    申请日2009-08-20

  • 分类号H01L21/20;H01L21/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:08

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