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APPARATUS, METHOD, AND COMPOSITION FOR FAR EDGE WAFER CLEANING

机译:远缘晶片清洁的装置,方法和组成

摘要

A wafer cleaning apparatus includes a polishing unit used in chemical mechanical polishing (CMP) of a wafer and a cleaning dispensing unit arranged to direct cleaning fluids toward a far edge of the wafer after the CMP of the wafer. A wafer cleaning method includes CMP of a wafer by a polishing unit and directing cleaning fluids toward a far edge of the wafer after the CMP of the wafer by a cleaning dispensing unit. Another method can include CMP, applying deionized water, and applying pH adjuster having a pH range from about 2 to about 13.
机译:晶片清洁设备包括:用于晶片的化学机械抛光(CMP)的抛光单元;以及清洁分配单元,其布置成在晶片的CMP之后将清洁液引导至晶片的远边缘。晶片清洁方法包括:通过抛光单元对晶片进行CMP,并且在通过清洁分配单元对晶片进行CMP之后,将清洁液引导至晶片的远边缘。另一种方法可以包括CMP,施加去离子水以及施加pH范围为约2至约13的pH调节剂。

著录项

  • 公开/公告号KR101442405B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20130036120

  • 发明设计人 루 신시엔;창 팅쿠이;채 중산;

    申请日2013-04-03

  • 分类号H01L21/302;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:03

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