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Hermetic wafer-level packaging for MEMS devices with low-temperature metallurgy

机译:用于低温冶金的MEMS器件的密封晶圆级封装

摘要

A method is disclosed for making a wafer-level package for a plurality of MEMS devices. The method involves preparing a MEMS wafer and a lid wafer, each having respective bonding structures. The lid and MEMS wafers are then bonded together through the bonding structures. The wafers are substantially free of alkali metals and/or chlorine. IN a preferred embodiment, each wafer has a seed layer, a structural underlayer and an anti-oxidation layer. A solder layer, normally formed on the lid wafer, bonds the two wafers together.
机译:公开了一种用于制造用于多个MEMS器件的晶片级封装的方法。该方法包括准备各自具有各自的结合结构的MEMS晶片和盖晶片。然后通过结合结构将盖子和MEMS晶片结合在一起。晶片基本上不含碱金属和/或氯。在一个优选的实施方案中,每个晶片具有种子层,结构底层和抗氧化层。通常在盖晶片上形成的焊料层将两个晶片结合在一起。

著录项

  • 公开/公告号EP1544164B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-04-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TELEDYNE DALSA SEMICONDUCTOR INC;

    申请/专利号EP20040106449

  • 发明设计人 TURCOTTE KARINE;OUELLET LUC;

    申请日2004-12-09

  • 分类号B81B7/00;B81C1/00;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:09:08

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