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NOVEL METHOD FOR CONFORMAL PLASMA IMMERSED ION IMPLANTATION ASSISTED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

机译:原子层沉积辅助等离子浸渍离子注入的新方法

摘要

embodiments of the present invention to form a conformal doped layer on the surface of the substrate which provides a novel apparatus and method . And a substrate provided in the process chamber , a layer of dopant source material is deposited by plasma deposition , atomic layer deposition , or plasma-assisted atomic layer deposition . Then haejyeoseo line on the substrate thermal process activates the dopant diffuses into the substrate surface . ;
机译:在基底的表面上形成保形掺杂层的本发明实施例提供了一种新的设备和方法。在处理室中提供的衬底上,通过等离子体沉积,原子层沉积或等离子体辅助原子层沉积来沉积掺杂剂源材料层。然后,衬底热工艺上的haejyeoseo线激活掺杂剂扩散到衬底表面中。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR101497902B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-03-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20107020060

  • 申请日2009-01-21

  • 分类号H01L21/265;H01L21/205;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:58:32

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