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一种等离子体辅助原子层沉积装置

摘要

本发明公开了一种等离子体辅助原子层沉积装置,包括反应腔室、至少一个进气模块、加热装置、出气管、真空泵、载板和至少一个基片;所述进气模块包括第一进气通道、第二进气通道和射频电极,所述第一进气通道的一端连接第一气体源,另一端通入反应腔室中,所述第二进气通道的一端连接第二气体源,另一端通过射频电极将第二气体电离为等离子体后通入反应腔体,并且第一气体和第二气体垂直于基板表面进入反应腔室中;在反应腔室中,第一气体和第二气体出口两侧均设置绝缘隔板。本发明提供的一种等离子体辅助原子层沉积装置,能够显著提高反应气体的活性,大幅提升薄膜的沉积速率,从而提高对前驱体源的利用率和生产效率。

著录项

  • 公开/公告号CN108149224A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海硕余精密机械设备有限公司;

    申请/专利号CN201810013983.0

  • 发明设计人 陈韦斌;

    申请日2018-01-08

  • 分类号C23C16/455(20060101);C23C16/505(20060101);

  • 代理机构31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人陶金龙;张磊

  • 地址 200000 上海市奉贤区庄行镇光明中心路68号2幢3层369室

  • 入库时间 2023-06-19 05:34:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/455 申请日:20180108

    实质审查的生效

  • 2018-06-12

    公开

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