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用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置

摘要

本发明涉及用于等离子体辅助原子层沉积中的RF补偿的方法和装置。实施例涉及在衬底上沉积膜的方法、装置和系统。在这些实施例中,衬底是按批处理的。由于处理批衬底中的另外衬底时反应室内的条件变化,在整个批衬底处理期间各种膜的性能可能有趋向性。本发明公开了用于使整个分批处理期间的膜的性能的趋向性最小化的方法和装置。更具体地,通过改变在整个分批处理期间用于处理衬底的RF功率的量,使膜的性能趋向性最小化。这样的方法有时被称为RF补偿法。

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法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-12

    授权

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  • 2016-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/455 申请日:20150930

    实质审查的生效

  • 2016-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20150930

    实质审查的生效

  • 2016-04-06

    公开

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  • 2016-04-06

    公开

    公开

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