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A LITHOGRAPHY MODEL FOR 3D RESIST PROFILE SIMULATIONS

机译:用于3D电阻剖面模拟的光刻模型

摘要

Disclosed herein is a method for simulating a three-dimensional spatial intensity distribution of radiation formed in a resist layer on a substrate resulting from incident radiation, the method comprising: directing the front propagation radiation in the resist layer and the back propagation Calculating a non-coherent sum of the radiation, calculating interference of the front propagation radiation in the resist layer and the back propagation radiation in the resist layer, and calculating the interference of the radiation from the non- And calculating a spatial intensity distribution.
机译:本文公开了一种用于模拟由入射辐射导致的在基板上的抗蚀剂层中形成的辐射的三维空间强度分布的方法,该方法包括:引导抗蚀剂层中的前向传播辐射和后向传播。辐射的相干总和,计算抗蚀剂层中的前向传播辐射和抗蚀剂层中的后向传播辐射的干涉,并从非辐射层计算辐射的干涉,并计算空间强度分布。

著录项

  • 公开/公告号KR101527496B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.;

    申请/专利号KR20130011873

  • 发明设计人 리우 펭;

    申请日2013-02-01

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:58:06

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