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A LITHOGRAPHY MODEL FOR 3D RESIST PROFILE SIMULATIONS.

机译:用于3D抵抗剖面模拟的光刻模型。

摘要

Described herein is a method for simulating a three-dimensional spatial intensity distribution of radiation formed within a resist layer on a substrate resulting from an incident radiation, the method comprising: calculating an incoherent sum of forward propagating radiation in the resist layer and backward propagating radiation in the resist layer; calculating an interference of the forward propagating radiation in the resist layer and the backward propagating radiation in the resist layer; and calculating the three-dimensional spatial intensity distribution of radiation from the incoherent sum and the interference.
机译:本文描述了一种用于模拟由入射辐射导致的在基板上的抗蚀剂层内形成的辐射的三维空间强度分布的方法,该方法包括:计算抗蚀剂层中的向前传播的辐射与向后传播的辐射的不相干之和在抗蚀剂层中;计算抗蚀剂层中的正向传播辐射与抗蚀剂层中的向后传播辐射的干涉;并根据非相干和和干涉计算辐射的三维空间强度分布。

著录项

  • 公开/公告号NL2010162A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML NETHERLANDS B.V.;

    申请/专利号NL20132010162

  • 发明设计人 LIU PENG;

    申请日2013-01-22

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 NL

  • 入库时间 2022-08-21 16:40:33

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