机译:具有具有凹部的绝缘层和形成在凹部上的半导体层的半导体装置,电光装置,半导体装置的制造方法,电光装置的制造方法以及电子设备
公开/公告号US9299850B2
专利类型
公开/公告日2016-03-29
原文格式PDF
申请/专利权人 SEIKO EPSON CORPORATION;
申请/专利号US201414254427
发明设计人 MASASHI NAKAGAWA;
申请日2014-04-16
分类号H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423;
国家 US
入库时间 2022-08-21 14:28:59