机译:具有包括形成为凹形的沟道区的半导体层的半导体装置,电光装置,半导体装置的制造方法,电光装置的制造方法以及电子设备
公开/公告号US9865620B2
专利类型
公开/公告日2018-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 SEIKO EPSON CORPORATION;
申请/专利号US201615363713
发明设计人 MASASHI NAKAGAWA;
申请日2016-11-29
分类号H01L29/786;H01L27/12;H01L29/423;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:54:27