机译:具有具有凹部的绝缘层和包括设置在凹部的沟道区域的半导体层的半导体装置,电光装置,半导体装置的制造方法,电光装置的制造方法以及电子设备
公开/公告号US9543327B2
专利类型
公开/公告日2017-01-10
原文格式PDF
申请/专利权人 SEIKO EPSON CORPORATION;
申请/专利号US201615046156
发明设计人 MASASHI NAKAGAWA;
申请日2016-02-17
分类号H01L27/12;H01L29/786;H01L29/423;G02F1/1333;G02F1/1362;G02F1/1368;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:41:08