首页> 外国专利> HIGH PRESSURE HIGH TEMPERATURE (HPHT) METHOD FOR THE PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL DIAMONDS

HIGH PRESSURE HIGH TEMPERATURE (HPHT) METHOD FOR THE PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL DIAMONDS

机译:高压高温(HPHT)法生产单晶金刚石

摘要

A high pressure high temperature (HPHT) method for synthesizing single crystal diamond, wherein a single crystal diamond seed having an aspect ratio of at least (1) and a growth surface substantially parallel to a {110} crystallographic plane is utilised is described. The growth is effected at a temperature in the range from 1280°C to 1390°C.
机译:描述了一种用于合成单晶金刚石的高压高温(HPHT)方法,其中,使用了具有至少(1)的纵横比和基本平行于{110}晶面的生长表面的单晶金刚石晶种。生长在1280℃至1390℃的温度范围内进行。

著录项

  • 公开/公告号IN2011KN02724A

    专利类型

  • 公开/公告日2016-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号IN2724/KOLNP/2011

  • 申请日2011-06-29

  • 分类号C30B29/04;

  • 国家 IN

  • 入库时间 2022-08-21 14:25:50

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号