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high-pressure, high-temperature (HPHT) method for the production of single-crystal diamond

机译:高压高温(HPHT)方法生产单晶金刚石

摘要

High pressure and temperature for the synthesis of single crystal diamond A (HPHT) method, Asupesuto ratio is at least 1, may be used a single crystal diamond seed growth surface is substantially parallel to the {110} crystal plane are described. I grow in a temperature range of 1390 ℃ from 1280 ℃. [Selection Figure] Figure 2 (a)
机译:用于合成高温高压单晶金刚石的一种方法(HPHT),Asupesuto比率至少为1,可以用单晶金刚石种子的生长表面基本平行于{110}晶面的方式进行描述。我在1280℃到1390℃的温度范围内生长。 [选型图]图2(a)

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