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用于制备单晶金刚石的高温高压(HPHT)方法

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摘要

用于合成单晶金刚石的高压高温(HPHT)方法，其中描述了使用具有至少(1)的纵横比和基本上平行于{110}晶面的生长表面的单晶金刚石籽晶。在1280℃-1390℃范围内的温度下进行生长。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-04

发明专利更正卷:31 号:47 页码:全文 IPC(主分类):B01J0003060000 更正项目:权利要求书误:错误正:正确申请日:20100115

发明专利更正
2015-11-25

授权

授权
2013-06-12

实质审查的生效 IPC(主分类):B01J3/06 申请日:20100115

实质审查的生效
2013-05-08

公开

公开

1. 用于制备单晶金刚石的高温高压(HPHT)方法 [P] . 中国专利： CN103097011B9 . 2016.05.04
2. 用于制备单晶金刚石的高温高压(HPHT)方法 [P] . 中国专利： CN103097011A . 2013-05-08
3. High pressure high temperature (HPHT) method for the production of single crystal diamonds [P] . 美国专利： US9039832B2 . 2015-05-26

机译：高压高温（HPHT）方法生产单晶金刚石
4. high-pressure, high-temperature (HPHT) method for the production of single-crystal diamond [P] . 日本专利： JP5759903B2 . 2015-08-05

机译：高压高温（HPHT）方法生产单晶金刚石
5. HIGH PRESSURE HIGH TEMPERATURE (HPHT) METHOD FOR THE PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL DIAMONDS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2379214B1 . 2017-11-15

机译：高压高温（HPHT）法生产单晶金刚石