机译:钝化层形成的组成,钝化层附着的半导体基质,钝化层附着的半导体基质的制造方法,太阳能电池元件,制造太阳能电池元件的方法以及太阳能电池
公开/公告号JP2018006431A
专利类型
公开/公告日2018-01-11
原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI CHEMICAL CO LTD;
申请/专利号JP20160128105
发明设计人 KODAMA SHUNSUKE;NOJIRI TAKESHI;TANAKA TADAYOSHI;HAMADA MITSUYOSHI;SHIMIZU MARI;HAYASAKA TAKESHI;
申请日2016-06-28
分类号H01L21/316;H01L31/0216;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 13:13:39