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PRINTING METHOD OF LASER MARK, MANUFACTURING METHOD OF SILICON WAFER WITH LASER MARK, AND SILICON WAFER WITH LASER MARK

机译:激光标记的印刷方法,具有激光标记的硅晶片的制造方法以及具有激光标记的硅晶片

摘要

To provide a printing method of a laser mark capable of heightening flatness of a wafer outer circumferential part furthermore than hitherto.SOLUTION: In a method for printing of a laser mark having a plurality of dots on a silicon wafer, each of the plurality of dots is formed by the first step (step S1) for radiating a laser beam with the first beam diameter to a prescribed position of a wafer outer circumferential part of the silicon wafer, and by the second step (step S2) for radiating the laser beam with the second beam diameter smaller than the first beam diameter to the prescribed position.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:提供一种迄今能够进一步提高晶片外周部分的平坦度的激光标记的印刷方法。解决方案:在用于在硅晶片上印刷具有多个点的激光标记的方法中,多个点中的每一个通过第一步骤(步骤S1)形成具有第一光束直径的激光束到硅晶片的晶片外周部分的预定位置的辐射,并且通过第二步骤(步骤S2)形成具有第一束直径的激光束。第二个光束直径小于第一个光束直径到规定的位置。

著录项

  • 公开/公告号JP2019000888A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-01-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUMCO CORP;

    申请/专利号JP20170119536

  • 发明设计人 HASHII TOMOHIRO;HASHIMOTO DAISUKE;

    申请日2017-06-19

  • 分类号B23K26;H01L21/304;B24B37/08;B24B37/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:19:50

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