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Laser mark printing method, manufacturing method of silicon wafer with laser mark

机译:激光标记印刷方法,具有激光标记的硅晶片的制造方法

摘要

To provide a printing method of a laser mark capable of heightening flatness of a wafer outer circumferential part furthermore than hitherto.SOLUTION: In a method for printing of a laser mark having a plurality of dots on a silicon wafer, each of the plurality of dots is formed by the first step (step S1) for radiating a laser beam with the first beam diameter to a prescribed position of a wafer outer circumferential part of the silicon wafer, and by the second step (step S2) for radiating the laser beam with the second beam diameter smaller than the first beam diameter to the prescribed position.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:为了提供能够进一步高于迄今为止的晶片外圆周部分的平坦度的激光标记的打印方法:在用于在硅晶片上具有多个点的用于打印具有多个点的激光标记的方法,所述多个点由第一步骤(步骤S1)形成,用于向硅晶片的晶片外周部分的晶片外周部分的规定位置辐射激光束,并通过第二步骤(步骤S2),用于向激光束辐射第二光束直径小于第一光束直径到规定的位置。选择图:图1

著录项

  • 公开/公告号JP6855955B2

    专利类型

  • 公开/公告日2021-04-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社SUMCO;

    申请/专利号JP20170119536

  • 发明设计人 橋井 友裕;橋本 大輔;

    申请日2017-06-19

  • 分类号B23K26;H01L21/304;B24B37/08;B24B37/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-24 18:07:39

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