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WAFER BONDED GAN MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURE OF WAFER BONDED GAN MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUITS

机译:晶圆键合GAN一体式电路和制造方法晶圆键合GAN一体式电路和制造方法

摘要

Wafer bonded GaN monolithic integrated circuits and methods of manufacture of wafer bonded GaN monolithic integrated circuits and their related structures for electronic and photonic integrated circuits and for multi-functional integrated circuits, are described herein. Other embodiments are also disclosed herein.
机译:本文描述了晶片键合的GaN单片集成电路以及用于电子和光子集成电路以及用于多功能集成电路的晶片键合的GaN单片集成电路及其相关结构的制造方法。本文还公开了其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号US2019115459A1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATTHEW H. KIM;

    申请/专利号US201816212655

  • 发明设计人 MATTHEW H. KIM;

    申请日2018-12-06

  • 分类号H01L29/737;H01L29/10;H01L29/66;H01L29/20;H01L29/267;H01L33;H01L29/08;H01L29/12;H01L29/165;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:08:45

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