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NOVEL SEAL RING FOR III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR-BASED DEVICES

机译:基于III-V复合半导体器件的新型密封环

摘要

A semiconductor device includes a substrate, overlaid by a III-V compound semiconductor layer. The substrate includes a circuit region and a seal ring region, wherein the seal ring region surrounds the circuit region. A seal ring structure is disposed in the seal ring region, wherein the seal ring structure includes a first via structure, extending through part of the substrate and the III-V compound semiconductor layer, that surrounds the circuit region.
机译:半导体器件包括被III-V族化合物半导体层覆盖的衬底。基板包括电路区域和密封环区域,其中,密封环区域围绕电路区域。密封环结构设置在密封环区域中,其中,密封环结构包括第一通孔结构,该第一通孔结构延伸穿过衬底的一部分以及围绕电路区域的III-V族化合物半导体层。

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