首页> 外国专利> ENDPOINT DETECTION ALGORITHM FOR ATOMIC LAYER ETCHING (ALE)

ENDPOINT DETECTION ALGORITHM FOR ATOMIC LAYER ETCHING (ALE)

机译:原子层刻蚀的终点检测算法(ALE)

摘要

Described herein are architectures, platforms and methods for determining endpoints of an optical emission spectroscopy (OES) data acquired from a plasma processing system. The OES data, for example, includes an absorption—step process, a desorption—step process, or a combination thereof. In this example, the OES data undergoes signal synchronization and transient signal filtering prior to endpoint determination, which may be implemented through an application of a moving average filter.
机译:本文描述了用于确定从等离子体处理系统获取的光发射光谱学(OES)数据的端点的架构,平台和方法。 OES数据例如包括吸收-步骤过程,解吸-步骤过程或其组合。在该示例中,在端点确定之前,OES数据经历信号同步和瞬态信号滤波,这可以通过应用移动平均滤波器来实现。

著录项

  • 公开/公告号SG11201901731WA

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO ELECTRON LIMITED;

    申请/专利号SG11201901731W

  • 发明设计人 CHEN YAN;TIAN XINKANG;FERNS JASON;

    申请日2017-08-31

  • 分类号H01L21/66;H01L21/3065;

  • 国家 SG

  • 入库时间 2022-08-21 12:00:01

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号