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Multiple-mask multiple-exposure lithography and masks

机译:多掩模多次曝光光刻和掩模

摘要

Examples of a multiple-mask multiple-exposure lithographic technique and suitable masks are provided herein. In some examples, a photomask includes a die area and a stitching region disposed adjacent to the die area and along a boundary of the photomask. The stitching region includes a mask feature for forming an integrated circuit feature and an alignment mark for in-chip overlay measurement.
机译:本文提供了多掩模多次曝光光刻技术和合适的掩模的实例。在一些示例中,光掩模包括管芯区域和邻近于管芯区域并且沿着光掩模的边界设置的缝合区域。缝合区域包括用于形成集成电路特征的掩模特征和用于芯片内覆盖物测量的对准标记。

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