首页> 外国专利> FINE PITCH Z CONNECTIONS FOR FLIP CHIP MEMORY ARCHITECTURES WITH INTERPOSER

FINE PITCH Z CONNECTIONS FOR FLIP CHIP MEMORY ARCHITECTURES WITH INTERPOSER

机译:带有中介层的Flip Pitch存储器架构的细间距Z连接

摘要

A semiconductor package is disclosed. The semiconductor package includes a package substrate, at least one bottom die coupled to the package substrate, at least one interposer coupled to the package substrate and a top die above the at least one bottom die and the at least one interposer and coupled to the at least one bottom die and the at least one interposer. The semiconductor package also includes a plurality of pillars that connect the top die to the package substrate through the at least one interposer.
机译:公开了一种半导体封装。该半导体封装包括封装基板,至少一个与封装基板耦合的底部裸片,至少一个与封装基板耦合的中介层,以及在至少一个底部裸片和至少一个中介层上方并耦合至底部的顶部裸片。至少一个下模和至少一个中介层。所述半导体封装还包括多个柱,所述多个柱通过所述至少一个中介层将所述顶部管芯连接到所述封装基板。

著录项

  • 公开/公告号US2020051956A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号US201816100149

  • 申请日2018-08-09

  • 分类号H01L25/065;H01L23/538;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:23:46

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号