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在基材上形成有阻挡层兼种子层的电子构件

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本发明的目的在于提供采用更简易的方法形成ULSI微细铜配线的技术。一种电子构件，是在基材上形成有作为ULSI微细铜配线的阻挡层兼种子层使用的钨与贵金属的合金薄膜的电子构件，该合金薄膜的组成是钨为50原子％以上、贵金属为5原子％～50原子％。作为所述贵金属，优选是选自钌、铑、铱中的1种或2种以上的金属。

著录项

公开/公告号CN101911265B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人日矿金属株式会社;
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申请/专利号CN200980101583.4
发明设计人关口淳之辅;伊森彻;
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申请日2009-02-19
分类号
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人段承恩
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:10:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-26

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/3205 变更前: 变更后: 申请日:20090219

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-06-04

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/3205 变更前: 变更后: 申请日:20090219

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2014-06-04

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/3205 变更前: 变更后: 登记生效日:20140509 申请日:20090219

专利申请权、专利权的转移
2012-07-04

授权

授权
2011-01-19

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20090219

实质审查的生效
2010-12-08

公开

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