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外文会议
>
Conference on multilevel interconnect technology
Conference on multilevel interconnect technology
召开年:
1999
召开地:
Santa Clara, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Challenges of damascene etching for co
机译:
镶嵌蚀刻对钴的挑战
作者:
Paul K. Ho
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Mei-Sheng Zhou
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Subhash Gupta
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Ramasamy Chockalingam
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Jianxun Li
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore
;
Minghui Fan
;
Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.
;
Singapore
;
Singapore.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
2.
Copper contamination effect on the reliability of devices in the BiCMOStechnology,
机译:
铜污染对BiCMOS技术中设备的可靠性有影响,
作者:
Kia S. Low
;
Infineon Technologies AG
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Munich
;
Germany
;
Markus Schwerd
;
Infineon Technologies AG
;
Munich
;
Germany
;
Heinrich Koerner
;
Infineon Technologies AG
;
Munich
;
Germany
;
Hans-Joachim Barth
;
Infineon Technologies AG
;
Muenchen
;
Germany
;
Anthony ONeil
;
Univ. of Newcastle upon Tyne
;
Newcastle upon Tyne
;
United Kingdom.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
3.
IMP copper seed layer formation with TaN barrier for deep submicron,
机译:
用于深亚微米的具有TaN阻挡层的IMP铜晶种层的形成
作者:
Babu Narayanan
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Chaoyong Li
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Kangsoo Lee
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Bo Yu
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Jun J. Wu
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Pang Dow Foo
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Joseph Xie
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
4.
Influence of IMP copper flash layer on the properties of copper filmsdeposited by metal organic chemical vapor deposition,
机译:
IMP铜闪光层对金属有机化学气相沉积沉积铜膜性能的影响,
作者:
Chaoyong Li
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
D.H. Zhang
;
Nanyang Technological Univ.
;
Singapore
;
Singapore
;
Y.Qian
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Babu Narayanan
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Jun J. Wu
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Bo Yu
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Z.X. Jiang
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Pang Dow Foo
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Joseph Xie
;
Institute of Microelectronics
;
Singapore
;
Singapore
;
Q.Zhang
;
Nanyang Technological Univ.
;
Singapore
;
Singapore
;
Soon Fatt Yoon
;
Nanyang Technological Univ.
;
Singapore
;
Singapore.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
5.
Integration of Flowfill and Forcefill for cost-effective via a
机译:
Flowfill和Forcefill的集成通过以下方式实现了成本效益:
作者:
Werner K. Robl
;
Infineon Technologies AG
;
Regensburg
;
Germany
;
Juergen Foerster
;
Infineon Technologies AG
;
Regensburg
;
Germany
;
Uwe Hoeckele
;
Infineon Technologies AG
;
Regensburg
;
Germany
;
Manfred Frank
;
Infineon Technologies AG
;
Regensburg
;
Germany
;
David Butler
;
Trikon Technologies
;
Ltd.
;
Newport Gwent
;
United Kingdom
;
Paul Rich
;
Trikon Technologies
;
Ltd.
;
Newport Gwent
;
United Kingdom
;
K.Beekmann
;
Trikon Technologies
;
Ltd.
;
Newport
;
United Kingdom.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
6.
IMP copper seed layer formation with TaN barrier for deep submicron
机译:
具有TaN阻挡层的IMP用于深亚微米的铜种子层形成
作者:
Author(s): Babu Narayanan Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Chaoyong Li Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Kangsoo Lee Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Bo Yu Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Jun J. Wu Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Pang Dow Foo Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Joseph Xie Institute of Microelectronics Singapore Singapore.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
7.
Influence of IMP copper flash layer on the properties of copper films deposited by metal organic chemical vapor deposition
机译:
IMP铜闪光层对金属有机化学气相沉积法沉积铜膜性能的影响
作者:
Author(s): Chaoyong Li Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
D.H. Zhang Nanyang Technological Univ. Singapore Singapore
;
Y.Qian Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Babu Narayanan Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Jun J. Wu Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Bo Yu Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Z.X. Jiang Institute of Microelectronics Singapore
;
Pang Dow Foo Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Joseph Xie Institute of Microelectronics Singapore Singapore
;
Q.Zhang Nanyang Technological Univ. Singapore Singapore
;
Soon Fatt Yoon Nanyang Technological Univ. Singapore Singapore.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
8.
Integrated IMP Ti and MOCVD TiN for 300-mm W barrier and liner for sub-0.18-um IC processing
机译:
集成的IMP Ti和MOCVD TiN用于300mm W阻挡层和衬板,用于0.18um以下的IC处理
作者:
Anish Tolia
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Marlon Menezes
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Jason Li
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Michael Jackson
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Vikram Pavate
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Nitin Khurana
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Rod Mosely
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Murali K. Narasimhan
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Mei Chang
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Fusen E. Chen
;
Applied Material Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
9.
Integration of a high-Q spiral inductor into an existing digital CMOS backend
机译:
将高Q螺旋电感器集成到现有的数字CMOS后端中
作者:
John D. Butler
;
Harris Semiconductor
;
Melbourne
;
FL
;
USA
;
Clay Crouch
;
Harris Semiconductor
;
Melbourne
;
FL
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
10.
Development and integration of a new metal structuring process for 256 MDRAMs
机译:
为256个MDRAM开发和集成新的金属结构工艺
作者:
Wolfgang Leiberg
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
E.Lueken
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
Sven Schmidbauer
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
Mirko Vogt
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
Lothar Bauch
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
P.Moll
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
V.Polei
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
J.Bachmann
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
11.
ILD thermal stability in deep-submicron technologies: from thin to ultrathin dielectric films
机译:
深亚微米技术中的ILD热稳定性:从薄到超薄介电膜
作者:
David T. Hsu
;
Univ. of California/Irvine
;
Irvine
;
CA
;
USA
;
Hyung-Kun Kim
;
Univ. of California/Irvine
;
Irvine
;
CA
;
USA
;
Frank G. Shi
;
Univ. of California/Irvine
;
Irvine
;
CA
;
USA
;
Bin Zhao
;
Conexant Systems Inc.
;
Newport Beach
;
CA
;
USA
;
Maureen R. Brongo
;
Conexant Systems Inc.
;
Newport Beach
;
CA
;
USA
;
P.Schilling
;
AlliedSignal Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Shi-Qing Wang
;
AlliedSignal Inc.
;
Campbell
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
12.
Polymer residue formation in vias caused by plasma etching of underlying titanium-rich films
机译:
等离子体腐蚀下面的富钛薄膜会导致通孔中残留聚合物
作者:
Gus J. Colovos
;
Philips Semiconductors
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
John F. DiGregorio
;
Philips Semiconductors
;
Albuquerque
;
NM
;
USA
;
Ralph N. Wall
;
Philips Semiconductors
;
Albuquerque
;
NM
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
13.
Comparing the electrical characteristics and reliabilities of BJTs and MOSFETs between Pt and Ti contact silicide processes
机译:
比较Pt和Ti接触硅化物工艺之间的BJT和MOSFET的电特性和可靠性
作者:
Kaiping Liu
;
VTC Inc.
;
Bloomington
;
MN
;
USA
;
Ling Shang
;
VTC Inc.
;
Bloomington
;
MN
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
14.
Defect reduction methodologies for damascene interconnect process development
机译:
镶嵌互连工艺开发的缺陷减少方法
作者:
Andrew Skumanich
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Man-Ping Cai
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
15.
Copper contamination effect on the reliability of devices in the BiCMOS technology
机译:
铜污染对BiCMOS技术中设备的可靠性产生影响
作者:
Author(s): Kia S. Low Infineon Technologies AG and Univ. of Newcastle upon Tyne Munich Germany
;
Markus Schwerd Infineon Technologies AG Munich Germany
;
Heinrich Koerner Infineon Technologies AG Munich Germany
;
Hans-Joachim Barth Infineon Technologies AG Muenchen Germany
;
Anthony ONeil Univ. of Newcastle upon Tyne Newcastle upon Tyne United Kingdom.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
16.
Enabling and cost-effective TiCl4-based PECVD Ti and CVD TiN processes for gigabit DRAM technology
机译:
支持和经济高效的基于TiCl4的PECVD Ti和CVD TiN工艺,用于千兆位DRAM技术
作者:
Sri Srinivas
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Ming Xi
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Brian Metzger
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Zvi Lando
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Murali K. Narasimhan
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Fusen E. Chen
;
Applied Materials Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
17.
Novel metallization scheme using nitrogen passivated Ti liner for AlCu-based metallization
机译:
使用氮钝化Ti衬里进行AlCu基金属化的新型金属化方案
作者:
Sven Schmidbauer
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
Stefan Spinler
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
M.U. Lehr
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
J.Klotzsche
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany
;
J.Hahn
;
Infineon Technologies AG
;
Dresden
;
Germany.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
18.
Ultrathin integrated ion metal plasma titanium and metallorganic titanium nitride liners for sub 0.18 um W based metallization schemes for >500 MHz microprocessors
机译:
超薄集成离子金属等离子体钛和金属有机氮化钛衬里,适用于基于0.18 um W的金属化方案,适用于> 500 MHz微处理器
作者:
Nitin Khurana
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Vikram Pavate
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Michael Jackson
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
T.Mandrekar
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Z.Fang
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Anish Tolia
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
H.Luo
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Jason Li
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Rod Mosely
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Murali K. Narasimhan
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Mei Chang
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Fusen E. Chen
;
Applied Materials
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
19.
Lithographic CD variation in contact via local interconnect and damascene levels
机译:
通过局部互连和镶嵌层接触的光刻CD变化
作者:
Yorick Trouiller
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Anne Didiergeorges
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Gilles L. Fanget
;
CEA-LETI
;
La Buisse
;
France
;
Cyrille Laviron
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France
;
Corinne Comboroure
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Yves Quere
;
CEA-LETI
;
Grenoble Cedex 9
;
France.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
20.
Capping layers cleaning method and rapid thermal processing temperature on cobalt silicide formation
机译:
覆盖层清洗方法和快速热处理温度对硅化钴的形成
作者:
Author(s): Dinesh Saigal Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Gigi Lai Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Lisa Yang Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Jingang Su Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Ken Ngan Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Murali K. Narasimhan Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Fusen E. Chen Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Ajay Singhal Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Dave Lopes Applied Materials Inc. Santa Clara CA USA
;
Sean Lian Integrated Device Technology San Jose CA USA
;
Wanqing Cao Integrated Device Technology San Jose CA USA
;
Kevin Tsai Integrated Device Technology San Jose CA USA
;
Patrick Lo Integrated Device Technology San Jose CA USA
;
S.K. Lee Integrated Device Technology Hillsboro OR USA
;
James Shih Integrated Device Technology Cupertino CA USA.
会议名称:
《Conference on multilevel interconnect technology》
|
1999年
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