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自对准接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法

摘要

本发明公开了一种接触孔层间膜,该接触孔层间膜的制作方法以及本发明的接触孔层间膜上刻蚀接触孔的方法。接触孔层间膜由自下往上依次为掺杂的氧化硅玻璃和保护氧化膜的两个膜层组成。制作接触孔层间膜制作方法,在前道工艺完成之后包括两步,1,在硅片上淀积磷硅玻璃;2,在磷硅玻璃上淀积一层保护氧化膜。在本发明的层间膜上刻蚀接触孔的方法将待刻蚀衬底上区分花苞状图形稀疏和密集的区域,针对不同的区域采用不同的刻蚀工艺,不仅使得接触孔能完全打开,而且也兼顾接触孔电阻、击穿电压和漏电性能等工艺电参数。

著录项

  • 公开/公告号CN101452905B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹NEC电子有限公司;

    申请/专利号CN200710094368.9

  • 发明设计人 王函;吕煜坤;

    申请日2007-11-30

  • 分类号H01L23/522(20060101);H01L23/532(20060101);H01L21/768(20060101);H01L21/31(20060101);H01L21/311(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁纪铁

  • 地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-08

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 23/522 变更前: 变更后: 申请日:20071130

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-07-11

    授权

    授权

  • 2009-08-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-10

    公开

    公开

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