基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法

摘要

本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该器件的区别特征为隔离层介质为：HfO₂、Hf-Al-O、TiO₂、Al₂O₃中的任意一种；铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种：其中，X为掺杂的稀土元素，Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括：对硅衬底进行清洗及氧化：光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层：再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜；在铁电薄膜上溅射电极金属层；再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔；源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层；最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料，用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电，更高的保持特性。