射频功率晶体管的镇流监控

摘要

一般说来，本发明提供了一种器件和方法，由此流经RF功率晶体管的电流不需采用任何外部元件而得到监控。更具体地，根据本发明的一个实施方案，RF功率晶体管包括硅片、一对形成在硅片上的交指电极，每个电极具有许多平行电极指和至少一个焊盘。第一类型扩散区形成在这对交指电阻中一个电极的电极指下面，第二类型扩散区形成在这对交指电极中另一个电极的电极指下面。一个电极有多个电极指和多个形成在硅片上的电阻，至少有一个电阻和每个电极指串联连接。另一个电极形成时具有至少一个电极指并连接到另一个焊盘，而且至少有一个电阻形成在硅片上，并和这另一个电极串联连接。根据本发明的另一个实施方案，提供了一种方法在RF晶体管电路中监测和控制集成RF晶体管中的电流。集成RF晶体管具有多个发射极镇流电阻和一个电路，包括监控电流的焊盘。RF晶体管电路包括连接到焊盘的偏压控制和反馈电路。流经至少一个发射极镇流电阻的电流被导向监控电流的电路。通过采用偏压控制和反馈电路，流经集成RF晶体管的电流受到影响。