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存储器密度提高的电阻可变存储器单元、包括其的阵列、装置和系统,及其制造方法

摘要

本发明揭示一种电阻可变存储器单元及其形成方法。所述存储器单元包括第一电极和与所述第一电极接触的至少一个电阻可变材料层。第一个第二电极与所述至少一个电阻可变材料层的第一部分接触,且第二个第二电极与所述至少一个电阻可变材料层的第二部分接触。

著录项

  • 公开/公告号CN101523629B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN200780037956.7

  • 发明设计人 刘峻;

    申请日2007-08-06

  • 分类号H01L45/00(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王允方

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2022-08-23 09:08:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-02-08

    授权

    授权

  • 2009-10-28

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-02

    公开

    公开

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