用N边多边形单元布线的MOS单元、多单元晶体管及IC芯片

摘要

揭示一种MOS晶体管单元(100)，供诸如在ESD保护电路、输出缓冲器等中用的多单元晶体管。此晶体管单元具有规则的N边多边形的几何形状，这里N≥8。在衬底中设有占用规则N边多边形边界面积的漏极区(125)。包围漏极区的是沟道区(165)，它占用N边多边形的面积。包围沟道区的是在衬底中形成的源极，它占用具有N边多边形边界的环形面积。