MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路

摘要

一种MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路，所述MOS晶体管包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的栅极结构，位于所述栅极结构一侧的半导体衬底内的第一沟槽和位于所述栅极结构另一侧的半导体衬底内的第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽内填充满应力材料，且所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出。由于所述第一沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直，第二沟槽的侧壁向沟道区一侧突出，所述MOS晶体管的沟道区受到的应力不对称，使得所述MOS晶体管的不同电流方向饱和源漏电流不同，利用所述MOS晶体管作为SRAM存储单元电路的传输晶体管，可以同时提高SRAM的读取裕度和写入裕度。