利用等离子体CVD的成膜方法和成膜装置

摘要

本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。