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形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法

摘要

本发明涉及集成电路制造领域,尤其是一种形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法,包括如下步骤:提供表面具有多个相同的晶体管的半导体衬底,所述多个相同的晶体管被金属与介电层的叠层所覆盖;于所述金属与介电层的叠层中形成多个电荷收集装置;于金属与介电层的叠层表面形成钝化层;于钝化层中形成钝化层窗口;测试所述半导体衬底表面的晶体管的电学特性;比较晶体管之间电学特性测试结果的差别,以评价形成钝化层窗口工艺中引入电荷对晶体管电学特性的影响。本发明的优点在于,通过制作电荷收集装置,并在部分的电荷收集装置的表面形成钝化层窗口,以测试形成钝化层窗口工艺中引入的电荷对晶体管电学性质的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN101770964B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810204833.4

  • 发明设计人 倪春;阮玮玮;

    申请日2008-12-30

  • 分类号

  • 代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人翟羽

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20110914 终止日期:20181230 申请日:20081230

    专利权的终止

  • 2011-09-14

    授权

    授权

  • 2011-09-14

    授权

    授权

  • 2010-09-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20081230

    实质审查的生效

  • 2010-09-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/66 申请日:20081230

    实质审查的生效

  • 2010-07-07

    公开

    公开

  • 2010-07-07

    公开

    公开

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