MOS晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法

摘要

本发明公开了一种MOS晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法，MOS晶体管的形成方法包括在半导体衬底上形成栅极结构，穿透栅极结构进行第二离子注入，形成用于调节阈值电压的离子扩散区以及袋状注入区；在栅极结构两侧、半导体衬底中进行离子注入以形成源/漏延伸区和源/漏极，将半导体衬底进行退火。第二离子注入能量和剂量，根据MOS晶体管的阈值电压确定。本发明方法适用于长沟道和短沟道器件的阈值电压调节，不需要增加额外的阱来单独进行不同尺寸器件阈值电压的平行调节，从而实现了简单、灵活地对阈值电压的调节，缩短了制程工艺周期，节省了成本。