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【2h】

Steep‐Slope Gate‐Connected Atomic Threshold Switching Field‐Effect Transistor with MoS 2 Channel and Its Application to Infrared Detectable Phototransistors

机译：具有MOS 2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用

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Seung‐Geun Kim; Seung‐Hwan Kim; Gwang‐Sik Kim; Hyeok Jeon; Taehyun Kim; Hyun‐Yong Yu;
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年度 2021
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1. Steep-slope field-effect transistors with AlGaN/GaN HEMT and oxide-based threshold switching device [J] . Huang Xuanqi, Fang Runchen, Yang Chen, Nanotechnology . 2019,第21期

机译：具有AlGaN / GaN HEMT和基于氧化物的阈值开关装置的陡坡场效应晶体管
2. Steep Slope Field-Effect Transistors With Ag/TiO₂-Based Threshold Switching Device [J] . Jeonghwan Song, Jiyong Woo, Sangheon Lee, IEEE Electron Device Letters . 2016,第7期

机译：基于Ag / TiO _{2 的阈值切换装置的陡坡场效应晶体管}
3. Gate-all-around junctionless silicon transistors with atomically thin nanosheet channel (0.65 nm) and record sub-threshold slope (43 mV/dec) [J] . Vasanthan Thirunavukkarasu, Yi-Ruei Jhan, Yan-Bo Liu, Applied Physics Letters . 2017,第3期

机译：具有原子薄的纳米片通道（0.65 nm）并记录亚阈值斜率（43 mV / dec）的全方位栅极无结硅晶体管
4. Monolithic integration of AgTe/TiO2 based threshold switching device with TiN liner for steep slope field-effect transistors [C] . Jeonghwan Song, Jaehyuk Park, Kibong Moon, IEEE International Electron Devices Meeting . 2016

机译：具有TiN衬里的基于AgTe / TiO2的阈值开关器件的单片集成，用于陡坡场效应晶体管
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Steep‐Slope Gate‐Connected Atomic Threshold Switching Field‐Effect Transistor with MoS2 Channel and Its Application to Infrared Detectable Phototransistors [O] . Seung‐Geun Kim, Seung‐Hwan Kim, Gwang‐Sik Kim, 2021

机译：具有MOS2通道的陡坡栅极连接原子阈值开关场效应晶体管及其在红外检测光电晶体管上的应用
7. Steep Slope Field-Effect Transistors With B–Te-Based Ovonic Threshold Switch Device [O] . Jongmyung Yoo, Donguk Lee, Jaehyuk Park, 2018

机译：陡坡场效应晶体管具有B-TE的卵形阈值开关装置

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