机译:基于Weibull分布的新方法来表示MOS晶体管阈值电压中热载流子的退化
Department of Electrical and Electronics Engineering, Engineering Faculty, Istanbul University, 34850 Avcilar, Istanbul, Turkey;
MOS transistors; hot carriers; weibull distribution; measurement and evaluation; modeling and simulation of solid-state devices and processes;
机译:绝缘体上硅动态阈值电压MOS晶体管中热载流子退化的温度依赖性
机译:负偏置温度不稳定性与热载流子驱动的130 nm技术p沟道晶体管的阈值电压降低的混合物
机译:高压p型LDMOS晶体管中热载流子引起的阈值电压漂移的机制
机译:一种模拟热载流子效应对MOS晶体管阈值电压的影响的简单方法
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:横向DmOs晶体管中热载流子诱导退化的新实验研究