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一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法

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本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括以下步骤：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中的第三段曲线对应的物理过程，所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管上，所述第三段曲线包括一段线性区；对所述第三段曲线进行线性拟合得到斜率为k

著录项

公开/公告号CN101655883B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-07-06

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院微电子研究所;
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申请/专利号CN200910092439.0
发明设计人王鑫华;赵妙;刘新宇;
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申请日2009-09-08
分类号
代理机构北京市德权律师事务所;
代理人王建国
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
入库时间 2022-08-23 09:07:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-07-06

授权

授权
2010-04-28

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20090908

实质审查的生效
2010-02-24

公开

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