电子系统、刷新DRAM单元的方法、集成电路晶片

摘要

本发明公开一种基于温度测量控制DRAM单元阵列的刷新周期的系统。在主动模式期间，将基于测量温度的刷新请求指示提供给DRAM控制器(例如另一个集成电路晶片的)，其中DRAM控制器(121)响应该指示启动DRAM单元阵列(105)的刷新周期。在自刷新模式中，DRAM控制器不启动刷新周期，但是刷新周期由阵列的集成电路晶片上的控制器基于温度测量而执行。