首页> 中国专利> 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用

基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用

页面导航

摘要

本发明涉及一种新型存储器用硅基全外延多层薄膜、方法及应用。本发明的目的是通过在硅衬底上依次外延生长TiN，MgO或SrTiO

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-04-19

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 45/00 授权公告日:20110601 终止日期:20160307 申请日:20080307

专利权的终止
2011-06-01

授权

授权
2009-04-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-08-27

公开

公开

1. 基于硅衬底上的全外延电阻转变多层薄膜、方法及应用 [P] . 中国专利： CN101252170B . 2011.06.01
2. 一种硅衬底上外延含Ga氮化物薄膜的叠层掩模方法和外延生长方法 [P] . 中国专利： CN112309841A . 2021-02-02
3. Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design [P] . 美国专利： US8872020B2 . 2014-10-28

机译：基于外延晶体硅薄膜的异质结太阳能电池在冶金硅衬底上的设计
4. Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design [P] . 美国专利： US8283557B2 . 2012-10-09

机译：基于外延晶体硅薄膜的异质结太阳能电池在冶金硅衬底上的设计
5. A method for epitaxial growth of twin free, (111) - oriented ii - vi alloy films on the silicon - substrates [P] . 德国专利： DE69738617T2 . 2009-06-10

机译：在硅衬底上外延生长（111）取向的孪晶ii-vi合金薄膜的方法。