公开/公告号CN101241756B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN200710148919.5
发明设计人 龙翔澜;
申请日2007-09-12
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2022-08-23 09:06:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-06-15
授权
授权
2008-10-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-08-13
公开
公开
机译: 具有不同编程和读取路径的存储单元,可实现高耐久性
机译: 高感测裕度磁阻存储设备,其中存储单元读取和写入选择晶体管以提供不同的读取和写入路径
机译: 用于确定读取和/或写入路径的一部分的特征参数的方法,在计算机系统中,涉及使用从存储单元读取的信息来确定读取和/或写入路径的一部分的特征参数。