具有双超浅隔离结构的多点式SOI晶体管

摘要

本发明揭露一种具有双超浅隔离结构的多点式SOI晶体管，其包含至少邻接的二晶体管单元，各晶体管单元水平设于SOI基板的硅层中，且相邻晶体管单元互相对称设置，每一晶体管单元包含一第一、第二超浅沟槽结构、一第一、第二型掺杂区，一介于二超浅沟槽结构之间的第二型轻掺杂区。第一、第二型掺杂区不但分别与第一、第二超浅沟槽结构邻接，并与第二型轻掺杂区邻接，另外在第二型轻掺杂区的表面形成一第一型射极结构。本发明能使与基极连接的基极连接导线的内阻变小，以减少整个器件的功率消耗。