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公开/公告号CN101385127B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN200780005363.2
发明设计人 任大星;恩里科·马尼;埃里克·伦茨;雷恩·周;
申请日2007-02-05
分类号
代理机构上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人樊英如
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:06:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-27
授权
2009-05-06
实质审查的生效
2009-03-11
公开
机译: 密封的弹性体粘结的Si电极等用于减少介电蚀刻中的颗粒污染
机译: 密封的弹性体粘结的硅电极等可减少介电蚀刻中的颗粒污染
机译:(311)Si中的各向异性蚀刻,用于制造携带神经电极阵列的尖锐可再吸收的聚合物微针
机译:通过掺入用于染料敏化太阳能电池的电纺SiO2或TiO2纳米纤维,减少了由无粘合剂的纳米颗粒糊剂制成的TiO2中孔膜中的裂纹形成
机译:具有地面结构的表面电极离子阱,用于使Si衬底中的介电损耗最小化
机译:减少HDP介电蚀刻系统中的Si损失和CD控制
机译:VLSI技术中用于介电材料的高级等离子蚀刻工艺。
机译:自蚀刻裂缝密封胶与传统裂缝密封胶与全蚀刻或自蚀刻粘合剂系统的微泄漏比较
机译:具有全蚀刻或自蚀刻粘合剂系统的自蚀刻裂缝密封剂和常规裂缝密封剂中的微漏和常规裂缝密封剂的比较
机译:无铬酸盐法制备铝表面用于粘合剂粘合。低毒性的蚀刻剂组合物。