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International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada
International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada
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1.
ALL DRY CVD-BASED RESIST FOR ADVANCED LITHOGRAPHY PROCESSES
机译:
用于先进光刻工艺的所有基于CVD的干式抗蚀剂
作者:
C. Monget
;
O. Joubert
;
L. Vallier
;
T. W. Weidman
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
2.
Effect of First Wafer on the CD Bias in DARC/Poly Gate Structure
机译:
第一晶圆对DARC /多晶硅栅极结构中CD偏置的影响
作者:
Liang Chen
;
Manvinder Singh
;
Nam-Hun Kim
;
Charlie Chu
;
Jeff Chirm
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
3.
ENCROACHMENT ON SILICON SUBSTRATE BY PECVD DEPOSITED TUNGSTEN AT LOW TEMPERATURES AND THE EFFECT OF WF_5 ON SELECTIVITY
机译:
低温下PECVD沉积钨对硅基质的包埋及WF_5对选择性的影响
作者:
M.F. Bain
;
B. M. Armstrong
;
H. S. Gamble
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
4.
CONTROL OF PLASMA CHEMISTRY IN AN Ar/c-C_4F_8 INDUCTIVELY COUPLED DISCHARGE
机译:
Ar / c-C_4F_8感应耦合放电中等离子体化学的控制
作者:
Shahid Rauf
;
Peter L. G. Ventzek
;
Valli Arunachalam
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
5.
Development of a High Flow PET Process in HDP Dielectric Etch Systems
机译:
HDP介电蚀刻系统中高流量PET工艺的开发
作者:
Nam-Hun Kim
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
6.
THE INTEGRATION OF PECVD BPSG FILMS AS A PRE-METAL DIELECTRIC
机译:
PECVD BPSG薄膜的集成为金属预电介质
作者:
Grant Albrecht
;
William King
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
7.
PLASMA INDUCED DAMAGE OF HIGH DENSITY PLASMA FSG IN 0.18UM TECHNOLOGY NODE
机译:
0.18UM技术节点中等离子体诱导的高密度等离子体FSG损坏
作者:
T.C. Ang
;
M.O.L Tay
;
P.I. Ong
;
W.B. Loh
;
S.Y. Loong
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
8.
PROCESS STUDY OF A NEW COPPER DRY ETCHING METHOD - THE HCL CHEMISTRY
机译:
一种新的铜干刻蚀方法-HCL化学的过程研究
作者:
Sangheon Lee
;
Yue Kuo
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
9.
WAFER EDGE AND INTERFEROMETRY LIMITATIONS IN LOW OPEN AREA ETCH ENDPOINT DETECTION USING OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY
机译:
利用光学发射光谱技术在低开光面积蚀刻终点检测中的晶片边缘和干涉测量限制
作者:
B.E. Goodlin
;
D.S. Boning
;
H.H. Sawin
;
M. Yang
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
10.
SURFACE ADSORPTION AND REACTION OF CHLORINE ON IMPURITY-DOPED Si USING AN ECR PLASMA
机译:
ECR等离子体对杂质掺杂硅上氯的表面吸附和反应
作者:
Toshikazu KANETSUNA
;
Takashi MATSUURA
;
Junichi MUROTA
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
11.
TIME RESOLVED IN SITU ELLIPSOMETRY STUDY OF PLASMA ASSISTED NITRIDATION OF ZIRCONIA THIN FILMS IN N_2-H_2 ATMOSPHERE
机译:
N_2-H_2气氛中等离子体辅助氮化锆薄膜的原位溶出分析的时间
作者:
L. Pichon
;
S. Camelio
;
M. Drouet
;
T. Girardeau
;
F. Lignou
;
A. Straboni
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
12.
Very High Aspect Ratio Deep Trench Structures for Sub-0.135μm DRAMs
机译:
适用于0.135μm以下DRAM的超高纵横比深沟槽结构
作者:
R.M. Ranade
;
G.S. Mathad
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
13.
WET ETCHING STUDIES ON ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE (ECR) PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITED SILICON NITRIDE FILMS
机译:
电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉积硅氮化物膜的湿法刻蚀研究
作者:
K. B. Sundaram
;
R. E. Sah
;
K. Balachandran
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
14.
MODELING OF ASPECT RATIO DEPENDENT ETCHING
机译:
宽高比依存建模
作者:
M.O. Bloomfield
;
D. E Richards
;
T.S. Cale
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
15.
MODELING OF IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION OF COPPER
机译:
铜的电离物理气相沉积模型
作者:
M. O. Bloomfield
;
D. F. Richards
;
T. S. Cale
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
16.
ETCHING TEMPERATURE AND VIA RESISTANCE
机译:
蚀刻温度和电阻
作者:
Ming Yang
;
Joe Zuang
;
Amy Zhou
;
Lei Li
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
17.
300mm WAFER DIELECTRIC OXIDE ETCH PROCESS AND TOOL IMPROVEMENTS
机译:
300毫米晶圆对二氧化乙烯蚀刻工艺和工具改进
作者:
B. Poschenrieder
;
K. Mautz
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
18.
Comparison of Two Plasmas for Deep Trench Silicon Etching Process
机译:
深沟槽硅刻蚀工艺中两种等离子体的比较
作者:
R.M. Ranade
;
G.S. Mathad
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
19.
PATTERNING OF ALUMINUM NITRIDE FILMS WITH SiO_2 HARD MASK IN AN MERIE DIODE REACTOR
机译:
SiO_2硬膜在梅里二极管反应器中氮化铝膜的图案化。
作者:
M. Engelhardt
;
S. Marksteiner
;
L. Elbrecht
会议名称:
《》
|
2000年
20.
A NOVEL SEIF CLEANING PROCESS FOR HIGH ASPECT RATIO SILICON ETCH
机译:
高纵横比硅刻蚀的新型SEIF清洁过程
作者:
A. H. Khan
;
A. Kumar
;
J. Chinn
;
D. Podlesnik
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
21.
OXIDE ETCHING IN INDUCTIVELY COUPLED FLUOROCARBON PLASMAS
机译:
感应耦合的氟碳等离子体中的氧化物腐蚀
作者:
Marc Schaepkens
;
Gottlieb S. Oehrlein
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
22.
Reduction of Si loss and CD control in HDP Dielectric Etch Systems
机译:
减少HDP介电蚀刻系统中的Si损失和CD控制
作者:
Nam-Hun Kim
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
23.
PROCESS STABILITY CONTROL IN SILICON ETCHING WITH HIGH DENSITY PLASMA
机译:
高密度等离子体硅刻蚀中的过程稳定性控制
作者:
Songlin Xu
;
Jeffrey Chinn
;
Dragan Podlesnik
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
24.
STUDY OF STI ETCHING DEFECTS FOR O.18m AND BEYHOND TECHNOLOGY
机译:
A.18m STI缺陷的研究及超越技术
作者:
Jay Xia
;
Ming Yang
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
25.
300mm WAFER POLYSILICON ETCH PROCESS AND TOOL IMPROVEMENTS
机译:
300毫米晶圆硅蚀刻工艺和工具改进
作者:
J. Petrucci
;
T. Morgenstern
;
K. Mautz
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
26.
A Method of In-Situ Monitoring Oxide/Nitride Etch Selectivity
机译:
原位监测氧化物/氮化物刻蚀选择性的方法
作者:
Sunfei Fang
;
Alois Gutmann
;
Bertrand Flietner
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
27.
300mm WAFER METAL ETCH AND ASH PROCESS CHARACTERIZATION FOR IMPROVED PERFORMANCE
机译:
300毫米晶圆金属蚀刻和灰化工艺特性,可提高性能
作者:
R. McGowan
;
L. Paschedag
;
U. Baier
;
K. Mautz
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
28.
ETCH STOP PHENOMINA IN DPS HIGH DENSITY ETCHER
机译:
DPS高密度蚀刻剂中的蚀刻停止现象
作者:
Ming Yang
;
Tom Ambrose
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
29.
HYDROGEN INDUCED POLARIZATION DEGRADATION OF SrBi_2Ta_2O_9 THIN FILM CAPACITORS IN PLASMA ETCHING
机译:
等离子体蚀刻中氢诱导的SrBi_2Ta_2O_9薄膜电容器的极化降解
作者:
O Sung Kwon
;
Yeo Song Seol
;
Jin Woong Kim
;
Jeong Mo Hwang
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
30.
LOW TEMPERATURE, PERMANENT MAGNET ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA DEPOSITION OF THERMALLY-STABLE AMORPHOUS SILICON AND SILICON NITRIDE
机译:
高温非晶硅和氮化硅的低温永磁电磁回旋共振等离子体沉积
作者:
C. Doughty
;
Q. Zhai
;
M. Lantigua
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
31.
A Highly Manufacturable Spacer Profile Solution for Void-Free Pre-Metal Dielectrics Gap-Fill in Sub-0.25 Micron Technology
机译:
0.25微米以下技术的无空隙预金属电介质间隙填充的高度可制造的垫片轮廓解决方案
作者:
Jie Yu
;
V.Y.Vassiliev
;
Yelehanka R. Pradeep
;
A.Cuthbertson
;
Alok Jain
;
Gang Zou
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
32.
CHARACTERIZATION OF n~+ μc-Si:H FOR TFTs FABRICATED AT 120℃ ON PLASTIC SUBSTRATES
机译:
塑料基底上120℃下制备的TFT的n〜+μc-Si:H的表征
作者:
T. Charania
;
B. Park
;
A. Sazonov
;
D. Striakhilev
;
A. Nathan
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
33.
ETCHING OF VIAS AND TRENCHES THROUGH LOW k DIELECTRICS WITH FEATURE SIZES DOWN TO 0.1 μm USING M0RI~(TM) HIGH DENSITY PLASMAS
机译:
使用M0RI〜(TM)高密度等离子体通过特征尺寸低至0.1μm的低k介电层蚀刻通孔和沟槽
作者:
D.J. Thomas
;
Y.P. Song
;
K. Powell
;
C. Fragos
;
A. Watson
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
34.
FEATURE PROFILE EVOLUTION USING LEVEL SET METHODS
机译:
使用水平集方法的特征轮廓演化
作者:
Helen H. Hwang
会议名称:
《》
|
2000年
35.
GAS PHASE ANALYSIS OF TiC AND TiN PLASMA ENHANCED CVD PROCESSES BY MOLECULAR BEAM MASS SPECTROMETRY
机译:
分子束质谱法分析TiC和TiN等离子增强CVD工艺的气相
作者:
Carmela C. Amato-Wierda
;
Chandra M. Reddy
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
36.
EXPERIMENTAL STUDY OF GEOMETRY STRUCTURE DEPENDENT CHARGING OF THE DIELECTRIC SURFACE DURING PLASMA ETCHING
机译:
等离子体刻蚀过程中介电层几何结构相关电荷的实验研究
作者:
M. K. Abatchev
;
B. J. Howard
;
K. G. Donohoe
;
G. T. Blalock
会议名称:
《International Symposium on Plasma Processing XIII, May 14-19, 2000, Toronto, Canada》
|
2000年
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